| 1 | Atomun yapısı, enerji bantları ve elektron hareketleri | [1]:1-23; [2]:1-7; [3]:1-14. |
| 2 | Yarıiletkenler | [1]:53-78; [2]:7-10; [3]:5-14; [4]:190-196. |
| 3 | PN jonksiyonu ve yarıiletken diyot | [1]:79-105; [2]:10-58; [3]:14-44; [4]:196-209, |
| 4 | Diyot uygulamaları ve diyot çeşitleri | [1]:105-113; [2]:59-130; [3]:45-105; [4]:139-190, 209-234 |
| 5 | Diyot uygulamaları ve diyot çeşitleri | [1]:105-113; [2]:59-130; [3]:45-105; [4]:139-190, 209-234 |
| 6 | BJT nin fiziksel yapısı, çalışma bölgeleri, karakteristikleri | [1]:115-149; [2]:131-160; [3]:163-215; [4]:377-421. |
| 7 | BJT li devrelerin kutuplaması ve dc analizi | [1]:187-204; [2]:161-245; [3]:216--255; [4]:421-442. |
| 8 | BJT li devrelerin kutuplaması ve dc analizi | [1]:187-204; [2]:161-245; [3]:216--255; [4]:421-442. |
| 9 | JFET in fiziksel yapısı, çalışma bölgeleri, karakteristikleri | [1]:151-162; [2]:365-385; [3]:368-381. |
| 10 | MOSFET in fiziksel yapısı, çalışma bölgeleri, karakteristikleri | [1]:162-170; [2]:385-411; [3]:396-404; [4]:235-262. |
| 11 | MOSFET in fiziksel yapısı, çalışma bölgeleri, karakteristikleri | [1]:162-170; [2]:385-411; [3]:396-404; [4]:235-262. |
| 12 | FET li devrelerin kutuplaması ve dc analizi | [1]:204-217; [2]:412-471; [3]:381-396,404-435; [4]:262-287. |
| 13 | CMOS ve Fark kuvvetlendiricileri | [1]-[10] |
| 14 | Soru çözümü | [1]-[10] |